太陽能電池已經(jīng)開發(fā)了很多年。在生活的許多方面，太陽能電池為我們帶來了很多便利。
眾所周知，太陽能電池的好處之一就是環(huán)境保護(hù)。為了增進(jìn)大家對(duì)太陽能電池的理解，本文將介紹太陽能電池的制造工藝。
如果您對(duì)太陽能電池感興趣，則不妨繼續(xù)閱讀。 1.太陽能電池太陽能電池，也稱為“太陽能芯片”。
術(shù)語“光電池”或“光電池”是使用陽光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體片。只要將其暴露在滿足某些照度條件的光線下，當(dāng)存在環(huán)路時(shí)，它就可以立即輸出電壓并產(chǎn)生電流。
在物理學(xué)上，它稱為光伏（Photovoltaic，縮寫為PV），或簡(jiǎn)稱為PV。太陽能電池是通過光電效應(yīng)或光化學(xué)效應(yīng)將光能直接轉(zhuǎn)換成電能的裝置。
具有光伏效應(yīng)的晶體硅太陽能電池是主流，而具有具有光化學(xué)效應(yīng)的薄膜電池的太陽能電池仍處于起步階段。 2.如何制造太陽能電池1.切割硅片和準(zhǔn)備材料。
在硅電池的工業(yè)生產(chǎn)中使用的單晶硅材料通常是通過坩堝直拉法制造的太陽能級(jí)單晶硅棒。原始形狀為圓柱形，然后切成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的邊長(zhǎng)通常為10?15cm，厚度約為200?350um，電阻率約為1Ωcm。
2.去除損壞的硅晶片層將在切割過程中產(chǎn)生大量的表面缺陷，這將引起兩個(gè)問題。首先，表面質(zhì)量差，并且這些表面缺陷將在電池制造過程中引起更多碎屑。
因此，為了去除切削損傷層，通常使用堿或酸腐蝕，并且腐蝕的厚度為約10μm。 3.紋理化和紋理化是通過酸或堿蝕刻相對(duì)光滑的原料硅晶片的表面，使其不平坦和粗糙以形成漫反射，并減少直接在硅晶片表面上的太陽能的損失。
對(duì)于單晶硅，通常使用NaOH和酒精進(jìn)行腐蝕。單晶硅的各向異性腐蝕在表面上形成無數(shù)的金字塔結(jié)構(gòu)。
堿液的溫度為約80度，濃度為約1至2％，并且蝕刻時(shí)間為約80度。大約15分鐘。
對(duì)于多晶，通常使用酸蝕刻。 4.擴(kuò)散擴(kuò)散的目的是形成一個(gè)PN結(jié)。
磷通常用于n型摻雜。由于固態(tài)擴(kuò)散需要高溫，因此在擴(kuò)散之前清潔硅晶片的表面非常重要。
織構(gòu)后必須清洗硅晶片，即使用酸中和硅晶片表面上的堿殘留物和金屬雜質(zhì)。 5.在邊緣蝕刻，清潔和擴(kuò)散過程中，在硅晶片的外圍表面上還形成有擴(kuò)散層。
外圍擴(kuò)散層使電池的上下電極形成短路環(huán)，必須將其除去。外圍的任何局部短路都會(huì)降低電池的并聯(lián)電阻，甚至成為廢品。
目前，等離子干蝕刻用于工業(yè)生產(chǎn)中。在輝光放電的條件下，氟和氧交替地作用在硅上以去除包含擴(kuò)散層的外圍。
擴(kuò)散后進(jìn)行清潔的目的是去除在擴(kuò)散過程中形成的磷硅酸鹽玻璃。 6.沉積抗反射層沉積抗反射層的目的是減少表面反射并增加折射率。
PECVD被廣泛用于沉積SiN，因?yàn)镻ECVD不僅會(huì)生長(zhǎng)SiN作為抗反射膜，而且還會(huì)產(chǎn)生大量的原子氫。這些氫原子在多晶硅晶片上具有表面鈍化和整體鈍化的雙重作用。
用于批量生產(chǎn)。 7.通過絲網(wǎng)印刷制備上電極和下電極是制備太陽能電池中的關(guān)鍵步驟。
它不僅確定發(fā)射極的結(jié)構(gòu)，而且還確定電池的串聯(lián)電阻以及電池表面上的金屬所覆蓋的面積。最初使用真空蒸發(fā)或化學(xué)電鍍技術(shù)，但現(xiàn)在通常使用絲網(wǎng)印刷方法，即通過特殊的打印機(jī)和模板將銀漿鋁漿（銀鋁漿）印刷在太陽能電池的正面和背面，形成正負(fù)極引線。
8.共燒形成