奈梅亨，2020年12月16日：半導體基礎元件領域的高容量生產專家Nexperia今天發布了具有AEC-Q101認證的新的重復性雪崩特定FET（ASFET）產品組合，重點是電力系統應用。該技術已經經歷了十億次雪崩循環，可用于汽車感應負載控制，例如電磁閥和執行器。
除了提供更快的關閉時間（最多4倍）之外，該技術還可以通過減少BOM的數量來簡化設計。在汽車動力總成的電磁閥和執行器控制領域，基于MOSFET的電源解決方案通常圍繞升壓，續流二極管或有源鉗位拓撲構建。
第四個選擇是重復雪崩設計，該設計利用MOSFET的重復雪崩功能在關斷期間從電感性負載電流中釋放能量。這種設計等效于有源鉗位方案的效率，并且可以消除對二極管和其他器件的需求，從而最大限度地減少了器件數量并降低了電路復雜性。
此外，該設計還可支持更快的關閉時間，從而提高了機電設備（例如電磁閥和繼電器）的可靠性。一般而言，此設計只能使用基于過時的平面技術的設備。
Nexperia汽車重復雪崩ASFET產品線是專門為解決此問題而開發的，可提供經過數十億次循環測試的可靠重復雪崩功能。此外，與升壓拓撲相比，該產品系列最多可減少15個板載設備，并將設備引腳尺寸效率提高多達30％，從而簡化了設計。
新型MOSFET在175°C時完全符合AEC-Q101汽車標準。它提供40 V和60 V選項，典型RDS（ON）額定值為12.5mΩ至55mΩ。
所有設備均使用該公司節省空間的LFPAK56D（雙通道Power-SO8）銅夾封裝技術。該封裝堅固耐用且可靠，配有鷗翼形插針，可實現出色的板級可靠性，并與自動光學檢查（AOI）兼容，可提供出色的可制造性。
Nexperia產品經理Richard Ogden解釋說：“通常，想要實現重復雪崩拓撲的工程師必須依靠基于過時的平面半導體技術的設備。它們基于高性能的硅結構，可為汽車級設備提供可靠的可重復雪崩功能。
，它可以增加旨在利用其功能優勢而設計的動力總成的數量。” Nexperia于2020年初推出了專用FET（ASFET）系列，以滿足業界對最佳性能的需求。
ASFET的MOSFET參數針對特定應用進行了優化。通過專注于特定應用，可以實現重大改進。
其他ASFET系列適用于熱插拔，以太網供電（PoE），電池保護和電機控制應用。