與雙極電源相比，功率FET具有以下特性：場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是電壓控制器件（雙極型是電流控制器件），因此在驅(qū)動大電流時無需推動級，電路比較簡單;輸入阻抗高，高達(dá)108Ω或更高;工作頻率范圍寬，開關(guān)速度快（開關(guān)時間為幾十納秒到幾百納秒），開關(guān)損耗小;有一個更好的線性區(qū)域，F(xiàn)ET的輸入電容遠(yuǎn)小于雙極性輸入電容的輸入電容，因此其交流輸入阻抗非常高;噪音也很小，最適合制作Hi-Fi音頻; 。功率FET可以并聯(lián)使用，以增加輸出電流，而無需電流共享電阻。
（1）漏極擊穿電壓BUD是不會導(dǎo)致器件擊穿漏極漏極擊穿電壓BUD的極限參數(shù)，其大于漏極電壓額定值。隨著結(jié)溫升高，BUD上升，這與GTR和GTO完全相反。
（2）漏極額定電壓UD UD是器件的額定額定值。 （3）UT漏極電流ID和IDM ID是漏極直流電流的標(biāo)稱參數(shù); IDM是漏極脈沖電流幅度。
（4）柵極導(dǎo)通電壓UT，也稱為閾值電壓，是導(dǎo)通功率MOSFET的柵 - 源電壓，是傳輸特性曲線和橫軸的交點。施加的柵極 - 源極電壓不應(yīng)太大，否則會突破器件。
（5）跨導(dǎo)gm gm是表征功率MOSFET的柵極控制能力的參數(shù)。 1.反向電池保護(hù)電路反向電池保護(hù)電路如圖9所示。
通常，串聯(lián)防止電池?fù)p壞的方法是串聯(lián)二極管。當(dāng)電池反接時，PN結(jié)反轉(zhuǎn)而沒有電壓降，但在正常操作期間管電壓降為0.6到0.7V。
具有低導(dǎo)通電阻的增強(qiáng)型N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET）具有非常小的管電壓降（RDS（ON）×ID）。例如，Si9410DY的RDS（ON）約為0.04Ω，約為1A。
0.04V。此時，應(yīng)該注意的是，當(dāng)電池安裝正確時，ID不會完全通過管內(nèi)的二極管，但當(dāng)VGS≥5V時，N導(dǎo)電通道被解鎖（相當(dāng)于一個非常小的電阻）并且大部分電流從S流向D.（ID為負(fù)）。
當(dāng)電池反接時，F(xiàn)ET被阻斷，電路受到保護(hù)。 2.觸摸調(diào)光電路簡單的觸摸調(diào)光電路如圖10所示。
當(dāng)手指接觸上觸點時，電容器通過手指電阻充電100k，VGS逐漸增大，光線逐漸變亮;當(dāng)觸摸下觸點時，電容器通過100k和手指電阻放電，并且燈逐漸變暗。 3.A類功率放大器電路通過R1和R2建立VGS靜態(tài)工作點（此時有一定的ID流動）。
當(dāng)音頻信號通過C1耦合到柵極時，產(chǎn)生-ΔVGS，產(chǎn)生較大的ΔID，并且輸出變壓器的阻抗匹配，使得4-8Ω揚(yáng)聲器輸出大的聲功率。在圖11中，Dw是一個9V齊納二極管，可以保護(hù)G和S極免受過壓和擊穿。
從圖中還可以看出，偏置電阻的值很大，因為柵極輸入阻抗非常高并且沒有柵極電流。